Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPP045N10N3GHKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

حصے کا نمبر

IPP045N10N3GHKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO-220-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

214W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

100A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

4.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

117nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

8410pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

6V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 22322 PCS

رابطے کی معلومات