Infineon Technologies IPP023NE7N3G MOSFET N-CH 75V 120A TO220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPP023NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 120A TO220

حصے کا نمبر

IPP023NE7N3G

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™ 3

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO220-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

300W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

75V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

120A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.8V @ 273µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

206nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

14400pF @ 37.5V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 21227 PCS

رابطے کی معلومات