Infineon Technologies IPN60R360P7SATMA1 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

IPN60R360P7SATMA1

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

حصے کا نمبر

IPN60R360P7SATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ P7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-223-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT223

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

7W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

360 mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 140µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

13nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

555pF @ 400V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36204 PCS

رابطے کی معلومات