Infineon Technologies IPN60R2K1CEATMA1 MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

IPN60R2K1CEATMA1

MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

حصے کا نمبر

IPN60R2K1CEATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-223-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT223

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

5W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Super Junction

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.7A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.1 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 60µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6.7nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

140pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42241 PCS

رابطے کی معلومات