Infineon Technologies IPD200N15N3GBTMA1 MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPD200N15N3GBTMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

حصے کا نمبر

IPD200N15N3GBTMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO252-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

150W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

150V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

50A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

20 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 90µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

31nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1820pF @ 75V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

8V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 7375 PCS

رابطے کی معلومات