Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPB65R045C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

حصے کا نمبر

IPB65R045C7ATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ C7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D²PAK (TO-263AB)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

227W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

46A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

45 mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 1.25mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

93nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4340pF @ 400V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 7850 PCS

رابطے کی معلومات