Infineon Technologies IPB60R060C7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

IPB60R060C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

حصے کا نمبر

IPB60R060C7ATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ C7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO263-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

162W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

35A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

60 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 800µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

68nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2850pF @ 400V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 28479 PCS

رابطے کی معلومات