Infineon Technologies IDW30G120C5BFKSA1 DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IDW30G120C5BFKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3

حصے کا نمبر

IDW30G120C5BFKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

thinQ!™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO247-3

ڈایڈڈ کی قسم

Silicon Carbide Schottky

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.65V @ 15A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

124µA @ 1200V

ڈایڈڈ کنفیگریشن

1 Pair Common Cathode

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

موجودہ - اوسط درست شدہ (Io) (فی ڈائوڈ)

44A (DC)

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17759 PCS

رابطے کی معلومات