Infineon Technologies IDC08D120T6MX1SA2 DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IDC08D120T6MX1SA2

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

حصے کا نمبر

IDC08D120T6MX1SA2

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

چڑھنے کی قسم

پیکیج / کیس

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

10A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2.05V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

2.7µA @ 1200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

رفتار

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-40°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 18594 PCS

رابطے کی معلومات