Infineon Technologies IDB30E120ATMA1 DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

چین
پیشہ ورانہ الیکٹرانک اجزاء فراہم کنندہ

کیٹلاگ مینوفیکچررز CN ICs

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IDB30E120ATMA1

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

حصے کا نمبر

IDB30E120ATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO263-3

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

50A (DC)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2.15V @ 30A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

100µA @ 1200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

243ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 34449 PCS

رابطے کی معلومات