Infineon Technologies IDB09E60ATMA1 DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

چین
پیشہ ورانہ الیکٹرانک اجزاء فراہم کنندہ

کیٹلاگ مینوفیکچررز CN ICs

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IDB09E60ATMA1

DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

حصے کا نمبر

IDB09E60ATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO263-3

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

19.3A (DC)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2V @ 9A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

50µA @ 600V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

75ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 50992 PCS

رابطے کی معلومات