Infineon Technologies FD200R12PT4B6BOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 200A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

FD200R12PT4B6BOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

حصے کا نمبر

FD200R12PT4B6BOSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Module

پاور - زیادہ سے زیادہ

1100W

کنفیگریشن

Three Phase Inverter

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Module

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

300A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ)

15µA

IGBT قسم

Trench Field Stop

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

ان پٹ کیپیسیٹینس (Cies) @ Vce

12.5nF @ 25V

ان پٹ

Standard

این ٹی سی تھرمسٹر

Yes

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9015 PCS

رابطے کی معلومات