Infineon Technologies BSZ215CHXTMA1 MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSZ215CHXTMA1

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

حصے کا نمبر

BSZ215CHXTMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

پاور - زیادہ سے زیادہ

2.5W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TSDSON-8-FL

FET قسم

N and P-Channel Complementary

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate, 2.5V Drive

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5.1A, 3.2A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

55 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.4V @ 110µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

419pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36132 PCS

رابطے کی معلومات