Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

BSS806NEH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

حصے کا نمبر

BSS806NEH6327XTSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT23-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

500mW (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.3A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

0.75V @ 11µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

529pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 2.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12708 PCS

رابطے کی معلومات