Infineon Technologies BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSS308PEH6327XTSA1

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

حصے کا نمبر

BSS308PEH6327XTSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT23-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

500mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

80 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 11µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

500pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 47552 PCS

رابطے کی معلومات