Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1 MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSO612CVGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

حصے کا نمبر

BSO612CVGHUMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-DSO-8

FET قسم

N and P-Channel

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3A, 2A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

120 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 20µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

340pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 51404 PCS

رابطے کی معلومات