Infineon Technologies BSD314SPEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSD314SPEH6327XTSA1

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363

حصے کا نمبر

BSD314SPEH6327XTSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-SOT363-6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

500mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.5A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

140 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 6.3µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

2.9nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

294pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 37680 PCS

رابطے کی معلومات