Global Power Technologies Group GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GSID100A120T2C1

SILICON IGBT MODULES

حصے کا نمبر

GSID100A120T2C1

مینوفیکچرر/برانڈ

Global Power Technologies Group

سلسلہ

Amp+™

حصہ کی حیثیت

Active

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Module

پاور - زیادہ سے زیادہ

640W

کنفیگریشن

Three Phase Inverter

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Module

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

200A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ)

1mA

IGBT قسم

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

ان پٹ کیپیسیٹینس (Cies) @ Vce

13.7nF @ 25V

ان پٹ

Three Phase Bridge Rectifier

این ٹی سی تھرمسٹر

Yes

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20202 PCS

رابطے کی معلومات