GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

MUR20010CTR

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

حصے کا نمبر

MUR20010CTR

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Twin Tower

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Twin Tower

ڈایڈڈ کی قسم

Schottky

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.3V @ 100A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

25µA @ 50V

ڈایڈڈ کنفیگریشن

1 Pair Common Anode

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

100V

موجودہ - اوسط درست شدہ (Io) (فی ڈائوڈ)

200A (DC)

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

75ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 26980 PCS

رابطے کی معلومات