GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GB10SLT12-252

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252

حصے کا نمبر

GB10SLT12-252

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-252

ڈایڈڈ کی قسم

Silicon Carbide Schottky

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

10A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

250µA @ 1200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

رفتار

No Recovery Time > 500mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

0ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

520pF @ 1V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 7291 PCS

رابطے کی معلومات