GeneSiC Semiconductor DB153G DIODE BRIDGE 200V 1.5A DB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

DB153G

DIODE BRIDGE 200V 1.5A DB

حصے کا نمبر

DB153G

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ڈایڈڈ کی قسم

Single Phase

وولٹیج - چوٹی ریورس (زیادہ سے زیادہ)

200V

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

1.5A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.1V @ 1.5A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

5µA @ 200V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 51249 PCS

رابطے کی معلومات