GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA TRANS SJT 650V 4A TO-257

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

2N7635-GA

TRANS SJT 650V 4A TO-257

حصے کا نمبر

2N7635-GA

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 225°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-257-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-257

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

47W (Tc)

FET قسم

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4A (Tc) (165°C)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

415 mOhm @ 4A

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

324pF @ 35V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 49117 PCS

رابطے کی معلومات