Comchip Technology CDBJFSC101200-G DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

CDBJFSC101200-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

حصے کا نمبر

CDBJFSC101200-G

مینوفیکچرر/برانڈ

Comchip Technology

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-2 Full Pack

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220F

ڈایڈڈ کی قسم

Silicon Carbide Schottky

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

10A (DC)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.7V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

100µA @ 1200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

رفتار

No Recovery Time > 500mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

0ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

780pF @ 0V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42161 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

CDBJFSC101200-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO