WeEn Semiconductors BYV430J-600PQ DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BYV430J-600PQ

DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P

حصے کا نمبر

BYV430J-600PQ

مینوفیکچرر/برانڈ

WeEn Semiconductors

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-3P-3, SC-65-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-3P

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2V @ 30A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 600V

ڈایڈڈ کنفیگریشن

1 Pair Common Cathode

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

موجودہ - اوسط درست شدہ (Io) (فی ڈائوڈ)

30A

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

90ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

175°C (Max)

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53559 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BYV40E-150,115

DIODE ARRAY GP 150V 1.5A SC73