Vishay Siliconix SISS72DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SISS72DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V

حصے کا نمبر

SISS72DN-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® 1212-8S

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® 1212-8S

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

FET قسم

N-Channel

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

150V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

7A (Ta), 25.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

42 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

22nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

550pF @ 75V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16731 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-