Vishay Siliconix SIR696DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIR696DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

حصے کا نمبر

SIR696DP-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

ThunderFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

104W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

125V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

60A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

11.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

38nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1410pF @ 75V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

7.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9162 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8