Vishay Siliconix SIR496DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIR496DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

حصے کا نمبر

SIR496DP-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

5W (Ta), 27.7W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

35A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

4.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

42nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1570pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 35077 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8