Vishay Siliconix SIHP28N65EF-GE3 MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIHP28N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

حصے کا نمبر

SIHP28N65EF-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220AB

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

250W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

28A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

117 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

146nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3249pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 26275 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIHP050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V