Vishay Siliconix SIHB180N60E-GE3 MOSFET N-CH D2PAK TO-263

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SIHB180N60E-GE3

MOSFET N-CH D2PAK TO-263

حصے کا نمبر

SIHB180N60E-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D²PAK (TO-263)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

156W (Tc)

FET قسم

N-Channel

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

19A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

180 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

33nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1085pF @ 100V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 22415 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIHB065N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2