Vishay Siliconix SIB452DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIB452DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

حصے کا نمبر

SIB452DK-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-75-6L

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-75-6L Single

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

190V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

135pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±16V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 21649 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L