Vishay Siliconix SIB411DK-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIB411DK-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

حصے کا نمبر

SIB411DK-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-75-6L

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-75-6L Single

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

66 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15nC @ 8V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

470pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 48624 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L