Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI9933CDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

حصے کا نمبر

SI9933CDY-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-50°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

3.1W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SO

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

58 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

26nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

665pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12293 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP