Vishay Siliconix SI8902AEDB-T2-E1 N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI8902AEDB-T2-E1

N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

حصے کا نمبر

SI8902AEDB-T2-E1

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-UFBGA

پاور - زیادہ سے زیادہ

5.7W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-Micro Foot™ (1.5x1)

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

24V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

11A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

28 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

900mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 41671 PCS

رابطے کی معلومات