Vishay Siliconix SI8416DB-T2-E1 MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI8416DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

حصے کا نمبر

SI8416DB-T2-E1

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-UFBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-Micro Foot™ (1.5x1)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.77W (Ta), 13W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

16A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

23 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

800mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

26nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1470pF @ 4V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.2V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±5V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12081 PCS

رابطے کی معلومات