Vishay Siliconix SI7983DP-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI7983DP-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

حصے کا نمبر

SI7983DP-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.4W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8 Dual

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

7.7A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

17 mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 600µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

74nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 14471 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8