Vishay Siliconix SI7972DP-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI7972DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

حصے کا نمبر

SI7972DP-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SO-8 Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

22W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SO-8 Dual

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

8A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

18 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.7V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1050pF @ 30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20496 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8