Vishay Siliconix SI7621DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI7621DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

حصے کا نمبر

SI7621DN-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® 1212-8

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® 1212-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.1W (Ta), 12.5W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

90 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6.2nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

300pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 24167 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI7601DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8