Vishay Siliconix SI7405BDN-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI7405BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8

حصے کا نمبر

SI7405BDN-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® 1212-8

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® 1212-8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.6W (Ta), 33W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

16A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

13 mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

115nC @ 8V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3500pF @ 6V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 13920 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8