Vishay Siliconix SI5915DC-T1-E3 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI5915DC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

حصے کا نمبر

SI5915DC-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SMD, Flat Lead

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.1W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

1206-8 ChipFET™

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.4A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

70 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

450mV @ 250µA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

9nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 29537 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8