Vishay Siliconix SI5903DC-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI5903DC-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

حصے کا نمبر

SI5903DC-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SMD, Flat Lead

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.1W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

1206-8 ChipFET™

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.1A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

155 mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

600mV @ 250µA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53283 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8