Vishay Siliconix SI5499DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI5499DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

حصے کا نمبر

SI5499DC-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SMD, Flat Lead

سپلائر ڈیوائس پیکیج

1206-8 ChipFET™

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.5W (Ta), 6.2W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

36 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

800mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

35nC @ 8V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1290pF @ 4V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±5V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 23465 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8