Vishay Siliconix SI4923DY-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI4923DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

حصے کا نمبر

SI4923DY-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.1W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SO

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6.2A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

21 mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

70nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 47945 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC