Vishay Siliconix SI4505DY-T1-E3 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI4505DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

حصے کا نمبر

SI4505DY-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.2W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SO

FET قسم

N and P-Channel

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V, 8V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6A, 3.8A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

18 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.8V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 34098 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC