Vishay Siliconix SI4401FDY-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 40V SO-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI4401FDY-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 40V SO-8

حصے کا نمبر

SI4401FDY-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET® Gen III

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SO

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9.9A (Ta), 14A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

14.2 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

100nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4000pF @ 20V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 22240 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC