Vishay Siliconix SI3909DV-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI3909DV-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

حصے کا نمبر

SI3909DV-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.15W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-TSOP

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

200 mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

500mV @ 250µA (Min)

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44123 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP