Vishay Siliconix SI3590DV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI3590DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

حصے کا نمبر

SI3590DV-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

پاور - زیادہ سے زیادہ

830mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-TSOP

FET قسم

N and P-Channel

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.5A, 1.7A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

77 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 22982 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI3500-A-GM

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3500-A-GM

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3500-A-GMR

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3529DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP