Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI3493BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

حصے کا نمبر

SI3493BDV-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-TSOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.08W (Ta), 2.97W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

8A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

27.5 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

900mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

43.5nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1805pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 37305 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN