Vishay Siliconix SI1967DH-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI1967DH-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

حصے کا نمبر

SI1967DH-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.25W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-70-6 (SOT-363)

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.3A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

490 mOhm @ 910mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4nC @ 8V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

110pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 11012 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI1900DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6