Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SI1958DH-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

حصے کا نمبر

SI1958DH-T1-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.25W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-70-6 (SOT-363)

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.3A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

205 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.6V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

3.8nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

105pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9064 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI1900DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6