IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
حصے کا نمبر
IRFD9120PBF
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
4-DIP (0.300", 7.62mm)
سپلائر ڈیوائس پیکیج
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
1.3W (Ta)
FET قسم
P-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
1A (Ta)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
600 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
18nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
390pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 39821 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRFD9120PBF
IRFD9120PBF الیکٹرانک اجزاء
IRFD9120PBF سیلز
IRFD9120PBF فراہم کنندہ
IRFD9120PBF فراہم کنندہ
IRFD9120PBF ڈیٹا ٹیبل
IRFD9120PBF تصاویر
IRFD9120PBF قیمت
IRFD9120PBF پیشکش
IRFD9120PBF کم ترین قیمت
IRFD9120PBF تلاش کریں۔
IRFD9120PBF خریداری
IRFD9120PBF Chip